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SUM75N06-09L-E3中文资料

SUM75N06-09L-E3图片

SUM75N06-09L-E3外观图

  • 大小:88.5KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:90000mA; Drain Source Voltage, Vds:60V; On Resistance, Rds(on):0.0135ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2V; Power Dissipation, Pd:3.75W ;RoHS Compliant: Yes
  • 数据列表:SUM75N06-09L
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:90A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9.3 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:75nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2400pF @ 25V
  • 功率 - 最大:3.75W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:TO-263(D2Pak)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SUM75N06-09L-E3TR

SUM75N06-09L-E3供应商

更新时间:2023-01-23 21:45:27
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